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资料编号:161308
 
资料名称:BAW56
 
文件大小: 188.32K
   
说明
 
介绍:
Surface Mount Silicon Planar Dual Small-Signal Diodes (common anode)
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BAW56的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
) 挂载 在 p.c. 板 和 25 mm
2
铜 焊盘 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 25 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
1
04.02.2003
baw 56
表面 挂载 硅 planar
silizium-planar-doppel-dioden
双 小-信号 二极管 für 消逝 oberflächenmontage
(一般 anode) (gemeinsame anode)
repetitive 顶峰 反转 电压 70 v
periodische spitzensperrspannung
塑料 情况 sot-23
Kunststoffgehäuse (至-236)
重量 approx. – gewicht ca. 0.01 g
维度 / maße 在 mm
1 = cathode 1 2 = cathode 2
3 = 一般 / gemeinsame anode
标准 包装 带子系紧 和 卷盘 看 页 18
标准 lieferform gegurtet auf rolle siehe seite 18
最大 比率 Grenzwerte
repetitive 顶峰 反转 电压 V
RRM
70 v
periodische spitzensperrspannung
最大值 平均 向前 电流 d1 + d2 I
FAV
250 毫安
1
)
Dauergrenzstrom
repetitive 顶峰 向前 电流 f > 15 hz I
FRM
450 毫安
1
)
periodischer spitzenstrom
顶峰 向前 surge 电流 T
j
= 25
Ct
p
= 1
s i
FSM
2 一个
stoßstrom-grenzwert t
p
= 1 ms I
FSM
1 一个
t
p
= 1 s I
FSM
0.5 一个
运行 接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
– 50...+ 150
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
– 50...+ 150
C
特性 Kennwerte
向前 电压 T
j
= 25
CI
F
= 1 毫安 V
F
< 715 mv
Durchlaßspannung I
F
= 10 毫安 V
F
< 855 mv
I
F
= 50 毫安 V
F
< 1.0 v
I
F
= 0.15 一个 V
F
< 1.25 v
泄漏 电流 T
j
= 25
CV
R
= v
RRM
I
R
< 2.5
一个
Sperrstrom T
j
= 150
CV
R
= v
RRM
I
R
< 50
一个
T
j
= 150
CV
R
= 25 v I
R
< 30
一个
2.5
最大值
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
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