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资料编号:161324
 
资料名称:BAY135
 
文件大小: 35.22K
   
说明
 
介绍:
Silicon Planar Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BAY135
vishay telefunken
rev. 3, 18-三月-992 (3)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600 文档 号码 85552
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数
向前 电压 I
F
=100mA V
F
1 V
反转 电流 E
x
300lx, v
R
I
R
3 nA
E
x
300lx, v
R
, t
j
=125
°
C I
R
0.5
m
一个
E
x
300lx, v
R
=60V I
R
1 nA
损坏 电压 I
R
=5
m
一个, t
p
/t=0.01, t
p
=0.3ms V
(br)
140 V
二极管 电容 V
R
=0, f=1mhz C
D
5 pF
特性
(t
j
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0 40 80 120 160
1
10
100
1000
10000
i – 反转 电流 ( na )
R
T
j
– 接合面 温度 (
°
c )
200
94 9079
scattering 限制
V
R
=V
RRM
图示 1. 反转 电流 vs. 接合面 温度
0 0.4 0.8 1.2 1.6
0.1
1
10
100
1000
i – 向前 电流 ( 毫安 )
F
V
F
– 向前 电压 ( v )
2.0
94 9078
scattering 限制
T
j
=25
°
C
图示 2. 向前 电流 vs. 向前 电压
维度 在 mm
cathode identification
1.7 最大值
0.55 最大值
3.9 最大值26 最小值
技术的 绘画
符合 至 din
规格
94 9366
标准 glass 情况
54 一个 2 din 41880
电子元件工业联合会 做 35
重量 最大值 0.3g
26 最小值
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