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资料编号:161526
资料名称:
BB639
文件大小: 405.46K
说明
:
介绍
:
Silicon Variable Capacitance Diodes
: 点此下载
1
2
3
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
十一月-07-2002
2
bb639/bb659...
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
直流 特性
反转 电流
V
R
= 30 v
V
R
= 30 v,
T
一个
= 85 °c
I
R
-
-
-
-
10
200
nA
交流 特性
二极管 电容
V
R
= 1 v,
f
= 1 mhz
V
R
= 2 v,
f
= 1 mhz
V
R
= 25 v,
f
= 1 mhz
V
R
= 28 v,
f
= 1 mhz
C
T
36
27.7
2.5
2.4
38.3
29.75
2.85
2.6
40
31.8
3.2
2.9
pF
电容 比率
V
R
= 1 v,
V
R
= 28 v,
f
= 1 mhz
C
T1
/
C
T28
13.5
14.7
-
电容 比率
V
R
= 2 v,
V
R
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
T2
/
C
T25
9.8
10.4
-
电容 相一致
1)
V
R
= 1 v,
V
R
= 28 v,
f
= 1 mhz,
7
二极管 sequence
BB639
V
R
= 1 v,
V
R
= 28 v,
f
= 1 mhz,
4
二极管 sequence
BB659
V
R
= 1 v,
V
R
= 28 v,
f
= 1 mhz,
7
二极管 sequence
BB659
C
T
/
C
T
-
-
-
-
0.3
0.4
2.5
1
2
%
序列 阻抗
V
R
= 5 v,
f
= 470 mhz
r
S
-
0.65
0.7
1
为 详细信息 请 谈及 至 应用 便条 047.
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