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资料编号:162044
 
资料名称:BBY51-02W
 
文件大小: 444.86K
   
说明
 
介绍:
Silicon Tuning Diode
 
 


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dec-15-2003
2
bby51...
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
反转 电流
V
R
= 6 v
V
R
= 6 v,
T
一个
= 85 °c
I
R
-
-
-
-
10
200
nA
交流 特性
二极管 电容
V
R
= 1 v,
f
= 1 mhz
V
R
= 2 v,
f
= 1 mhz
V
R
= 3 v,
f
= 1 mhz
V
R
= 4 v,
f
= 1 mhz
C
T
5.05
3.4
2.7
2.5
5.4
4.2
3.5
3.1
5.75
5.2
4.6
3.7
pF
电容 比率
V
R
= 1 v,
V
R
= 4 v,
f
= 1 mhz
C
T1
/
C
T4
1.55 1.75 2.2
电容 区别
V
R
= 1 v,
f
= 1 mhz,
V
R
= 4 v
C
1V
-
C
3V
1.4 1.78 2.2 pF
电容 区别
V
R
= 3 v,
f
= 1 mhz,
V
R
= 4 v
C
3V
-
C
4V
0.3 0.5 0.7
序列 阻抗
V
R
= 1 v,
f
= 1 ghz
r
S
- 0.37 -
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