©2002 仙童 半导体 公司 rev. a1, 8月 2002
BC212LB
绝对 最大 ratings*
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
注释:
1. 这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150
°
c.
2. 这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
标识 参数 值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 50 V
V
CBO
集电级-根基 电压 60 V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 - 持续的 100 毫安
T
j,
T
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 2ma 50 V
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 10
µ
A60V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 10
µ
A5V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= 30v 15 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 4v 15 nA
在 characteristics*
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 10
µ
一个
V
CE
= 5v, i
C
= 2ma
40
60
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 100ma, i
B
= 5ma 0.6 V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 100ma, i
B
= 5ma 1.4 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
= 5v, i
C
= 2ma 0.6 0.72 V
小 信号 特性
C
ob
输出 电容 V
CE
= 10v, f = 1mhz 6 pF
h
FE
小 信号 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 2ma, f = 1khz 60
NF 噪音 图示 V
CE
= 5v, i
C
= 200
µ
一个, f = 1khz
R
G
= 2k
Ω
, bw = 200hz
10 dB
BC212LB
pnp 一般 目的 放大器
• 这个 设备 是 设计 为 一般 目的 放大器 应用 在
集电级 电流 至 100ma.
• sourced 从 处理 68.
1. 发射级 2. 集电级 3. 根基
至-92
1
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