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资料编号:162895
 
资料名称:BC639
 
文件大小: 43.78K
   
说明
 
介绍:
NPN medium power transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999 Apr 23 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 中等 电源 晶体管 bc635; bc637; bc639
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 150 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=30V
100 nA
I
E
= 0; v
CB
=30v; t
j
= 150
°
C
10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=5V
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= 2 v; 看 图.2
I
C
= 5 毫安 40
I
C
= 150 毫安 63 250
I
C
= 500 毫安 25
直流 电流 增益 I
C
= 150 毫安; v
CE
= 2 v; 看 图.2
bc639-10 63 160
bc635-16; bc637-16; bc639-16 100 250
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 500 毫安; i
B
=50mA
500 mV
V
根基-发射级 电压 I
C
= 500 毫安; v
CE
=2V
1V
f
T
转变 频率 I
C
= 50 毫安; v
CE
= 5 v; f = 100 MHz 100
MHz
直流 电流 增益 比率 的 这
complementary pairs
I
C
= 150 毫安;
V
CE
=2V
1.6
h
FE1
h
FE2
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