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资料编号:163023
 
资料名称:BC808-25
 
文件大小: 131.99K
   
说明
 
介绍:
PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current High current gain)
 
 


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bc807, bc808
1 十一月-29-2001
pnp 硅 af 晶体管
为 一般 af 产品
高 集电级 电流
高 电流 增益
低 集电级-发射级 饱和 电压
comlementary 类型: bc817, bc818 (npn)
1
2
3
VPS05161
类型 标记 管脚 配置 包装
bc807-16
bc807-25
bc807-40
bc808-16
bc808-25
bc808-40
5As
5Bs
5Cs
5Es
5Fs
5Gs
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
2 = e
2 = e
2 = e
2 = e
2 = e
2 = e
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
最大 比率
参数
标识
BC807 BC808
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
45 25 V
集电级-根基 电压
V
CBO
50 30
发射级-根基 电压
V
EBO
5 5
毫安
直流 集电级 电流
500
I
C
顶峰 集电级 电流
1 一个
I
CM
根基 电流
mA100
I
B
顶峰 根基 电流
200
I
BM
总的 电源 消耗
,
T
S
= 79 °c
P
tot
mW330
接合面 温度
150 °C
T
j
T
stg
存储 温度
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
215 k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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