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资料编号:163045
资料名称:
BC808-25W
文件大小: 91.15K
说明
:
介绍
:
PNP Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current gain)
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bc807w, bc808w
十一月-29-20012
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
BC807W
BC808W
V
(br)ceo
45
25
-
-
-
-
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
E
= 0
BC807W
BC808W
V
(br)cbo
50
30
-
-
-
-
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
5
-
-
集电级 截止 电流
V
CB
= 25 v,
I
E
= 0
I
CBO
-
-
100
nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 25 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
I
CBO
-
-
50
µA
发射级 截止 电流
V
EB
= 4 v,
I
C
= 0
I
EBO
-
-
100
nA
直流 电流 增益 1)
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 1 v
h
FE
-grp.
16
h
FE
-grp.
25
h
FE
-grp.
40
h
FE
100
160
250
160
250
350
250
400
630
-
直流 电流 增益 1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 1 v
h
FE
40
-
-
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
CEsat
-
-
0.7
V
根基-发射级 饱和 电压 1)
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
BEsat
-
-
1.2
1) 脉冲波 测试: t
≤
300
µ
s, d = 2%
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