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资料编号:163123
 
资料名称:BC818-40
 
文件大小: 130.7K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon AF Transistors
 
 


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  浏览型号BC818-40的Datasheet PDF文件第1页
1

2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
7
01.11.2003
一般 目的 晶体管 bc 817 / bc 818
特性, t
j
= 25
C kennwerte, t
j
= 25
C
最小值 典型值 最大值
集电级 饱和 电压 – kollektor-sättigungsspg.
I
C
= 500 毫安, i
B
CEsat
0.7 v
根基 饱和 电压– 基准-sättigungsspannung
I
C
= 500 毫安, i
B
BEsat
1.3 v
根基-发射级 电压 –基准-发射级-spannung
V
CE
= 1 v, - i
C
= 500 毫安 V
1.2 v
集电级-根基 截止 电流 – kollektorreststrom
I
E
= 0, v
CB
= 20 v I
CB0
100 na
I
E
= 0, v
CB
= 20 v, t
j
= 150
CI
CB0
––5
一个
发射级-根基 截止 电流 – emitterreststrom
I
C
= 0, v
EB
= 4 v I
EB0
100 na
V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安, f = 50 mhz f
T
100 mhz
集电级-根基 电容– kollektor-基准-kapazität
V
CB
= 10 v, i
E
= i
e
= 0, f = 1 mhz C
CB0
12 pf
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
R
thA
320 k/w
1
)
推荐 complementary pnp 晶体管
empfohlene komplementäre pnp-transistoren
bc 807 / bc 808
标记 的 有 电流 增益
groups 每 类型
stempelung der lieferbaren strom-
verstärkungsgruppen pro 典型值
bc 817-16 = 6a bc 817-25 = 6b bc 817-40 = 6c
bc 817 = 6d
bc 818-16 = 6e bc 818-25 = 6f bc 818-40 = 6g
bc 818 = 6h
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