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资料编号:163175
 
资料名称:BC817-25LT1
 
文件大小: 58.83K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(NPN Silicon) 
 
 


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bc817−16lt1, bc817−25lt1, bc817−40lt1
http://onsemi.com
3
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 1. 直流 电流 增益
h
FE
, 直流 电流 增益
1000
10
10000.1 10 100
100
1.0
V
CE
= 1 v
T
J
= 25
°
C
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 2. 饱和 区域
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 3. “on” 电压
100
10
1
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 4. 温度 coefficients
+1
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 5. capacitances
0.1 11 10 100 1000
−2
−1
0
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
v, 电压 (伏特)
V
, 温度 coefficients (mv/ c)
°
θ
c, 电容 (pf)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01 0.1 10 1001
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1 10 1000100
10 100
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 毫安
T
一个
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
是(在)
@ v
CE
= 1 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
VC
为 v
ce(sat)
VB
为 v
C
ob
C
ib
100 毫安 300 毫安 500 毫安
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