leshan 无线电 公司, 有限公司.
k4–1/4
1
3
2
一般 目的 晶体管
npn 硅
最大 比率
比率 标识 BC846 BC847 BC848 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
65 45 30 V
collector–base 电压 V
CBO
80 50 30 V
emitter–base 电压 V
EBO
6.0 6.0 5.0 V
集电级 电流 — 持续的 I
C
100 100 100 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板, (1)
P
D
150 mW
T
一个
= 25°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
833 °c/w
总的 设备 消耗 P
D
2.4 mw/°c
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bc846awt1 = 1a; bc846bwt1 = 1b; bc847awt1 = 1e; bc847bwt1 = 1f;
bc847cwt1 = 1g; bc848awt1 = 1j; bc848bwt1 = 1k; bc848cwt1 = 1l
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
bc846 序列 65 — —
(i
C
= 10 毫安) bc847 序列 V
(br)ceo
45 — — v
bc848 序列 30 — —
collector–emitter 损坏 电压
bc846 序列 80 — —
(i
C
= 10
µ
一个, v
EB
= 0) bc847 序列 V
(br)ces
50 — — v
bc848 序列 30 — —
collector–base 损坏 电压 bc846 序列 80 — —
(i
C
= 10
µ
一个) bc847 序列 V
(br)cbo
50 — — v
bc848 序列 30 — —
emitter–base 损坏 电压 bc846 序列 6.0 — —
(i
E
= 1.0
µ
一个) bc847 序列, V
(br)ebo
6.0 — — v
bc848 序列 5.0 — —
集电级 截止 电流 (v
CB
= 30 v)
I
CBO
——15nA
(v
CB
= 30 v, t
一个
= 150°c) — — 5.0
µ
一个
bc846awt1,bwt1
bc847awt1,bwt1
CWT1
bc848awt1,bwt1
CWT1
2
发射级
3
集电级
1
根基
情况 419–02, 样式 3
sot–323 /sc–70
这些 晶体管 是 设计 为 一般 目的 放大器
产品. 它们 是 housed 在 这 sot–323/sc–70 这个 是
设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
1.fr–5=1.0 x 0.75 x 0.062in
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