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资料编号:163188
 
资料名称:BC846BLT1
 
文件大小: 183.42K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(NPN Silicon)
 
 


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leshan 无线电 compaNy,有限公司.
m3–2/4
bc846alt1,blt1 bc847alt1,blt1 clt1 thru bc850blt1,clt1
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出) (持续)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
在 特性
直流 电流 增益
bc846a, bc847a, bc848a
h
FE
—90——
(i
C
= 10
µ
一个, v
CE
= 5.0 v) bc846b, bc847b, bc848b
150
bc847c, bc848c
270
(i
C
= 2.0 毫安, v
CE
= 5.0 v) bc846a, bc847a, bc848a
110 180 220
bc846b, bc847b, bc848b, bc849b, bc850b
200 290 450
bc847c, bc848c, bc849c, bc850c
420 520 800
collector–emitter 饱和 电压 (i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安)
V
ce(sat)
0.25
V
collector–emitter 饱和 电压(i
C
= 100 毫安, i
B
= 5.0 毫安) 0.6
base–emitter 饱和 电压 (i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安)
V
是(sat)
0.7
V
base–emitter 饱和 电压(i
C
= 100 毫安, i
B
= 5.0 毫安) 0.9
base–emitter 电压 (i
C
= 2.0 毫安, v
CE
= 5.0 v)
V
是(在)
580 660 700
mV
base–emitter 电压(i
C
= 10 毫安, v
CE
= 5.0 v) 770
small–signal 特性
current–gain — 带宽 产品
f
T
100 MHz
(i
C
= 10 毫安, v
CE
= 5.0 vdc, f = 100 mhz)
输出 电容 (v
CB
= 10 v, f = 1.0 mhz) C
obo
4.5 pF
噪音 图示 (i
C
= 0.2 毫安, bc846a, bc847a, bc848a NF dB
V
CE
= 5.0 v
直流
, r
S
= 2.0 k
,bc846b, bc847b, bc848b
f = 1.0 khz, bw = 200 hz) bc847c, bc848c 10
bc849b,c, bc850b,c 4.0
I
C
, 集电级 电流 (madc)
图示 1. normalized 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (madc)
图示 2. “saturation” 和 “on” 电压
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
V
CE
= 10 v
T
一个
= 25°c
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
T
一个
= 25°c
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
=10
V
是(在)
@ v
CE
= 10 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
T
一个
= 25°c
v, 电压 (伏特)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
θθ
θθ
θ
VB
, 温度 系数 (mv/ °c)
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.0
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 3. 集电级 饱和 区域
V
CE
, collector– 发射级 电压 (v)
I
C
= 200 毫安
–55°c 至 +125°c
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 4. base–emitter 温度 系数
0.2 1.0 10 100
0.02 0.1 1.0 10 20
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
10 毫安
I
C
= 100 毫安
I
C
=
20 毫安
I
C
= 50 毫安
h
FE
, normalized 直流 电流 增益
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