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fn9076.5
july 22, 2005
一个 下落 转变 在 pwm indicates 这 转变-止 的 这
upper 场效应晶体管 和 这 转变-在 的 这 更小的 场效应晶体管. 一个
短的 传播 延迟 [tpdl
UGATE
] 是 encountered
在之前 这 upper 门 begins 至 下降 [tf
UGATE
]. 又一次, 这
adaptive shoot-通过 电路系统 确定 这 更小的 门
延迟 时间, tpdh
LGATE
. 这 阶段 电压 是 监控
和 这 更小的 门 是 允许 至 上升 之后 阶段 drops
在下 0.5v. 这 更小的 门 然后 rises [tr
LGATE
], turning
在 这 更小的 场效应晶体管.
三-状态 pwm 输入
一个 唯一的 特性 的 这 hip6602b驱动器 是 这 增加 的 一个
关闭 window 至 这 pwm 输入. 如果 这 pwm 信号
enters 和 仍然是 在里面 这 关闭 window 为 一个 设置
holdoff 时间, 这 输出 驱动器 是 无能 和 两个都
场效应晶体管 门 是 牵引的 和 使保持 低. 这 关闭 状态
是 移除 当 这 pwm 信号 moves 外部 这
关闭 window. 否则, 这 pwm rising 和 下落
门槛 概述 在 这 电的 规格 决定
当 这 更小的 和 upper 门 是 使能.
adaptive shoot-通过 保护
这 驱动器 包含 adaptive shoot-通过 保护 至
阻止 upper 和 更小的 mosfets 从 组织
同时发生地 和 shorting 这 输入 供应. 这个 是
accomplished 用 ensuring 这 下落 门 有 转变 止 一个
场效应晶体管 在之前 这 其它 是 允许 至 上升.
在 转变-止 的 这 更小的 场效应晶体管, 这 lgate 电压 是
监控 直到 它 reaches 一个 2.2v门槛, 在 这个 时间 这
ugate 是 released 至 上升. adaptive shoot-通过 电路系统
monitors 这 阶段 电压 在 ugate 转变-止. once
阶段 有 dropped 在下 一个 门槛 的 0.5v, 这 lgate
是 允许 至 上升. 如果 这 phase 做 不 漏出 在下 0.5v
在里面 250ns, lgate 是 允许 至 上升. 这个 是 完毕 至
发生 这 自举 refresh 信号. 阶段 持续 至
是 监控 在 这 更小的门 上升 时间. 如果 这 阶段
电压 超过 这 0.5v 门槛 在 这个 时期 和
仍然是 高 为 变长 比 2µs, 这 lgate transitions 低.
这个 是 完毕 至 制造 这 更小的 场效应晶体管 emulate 一个 二极管.
两个都 upper 和 更小的 门 是 然后 使保持 低 直到 这 next
rising 边缘 的 这 pwm 信号.
电源-在 重置 (por) 函数
在 最初的 开始-向上, 这 vcc 电压 上升 是 监控 和
门 驱动 是 使保持 低 直到 一个 典型 vcc rising 门槛
的 9.95v 是 reached. once 这 rising vcc 门槛 是
超过, 这 pwm 输入 信号 takes 控制 的 这 门
驱动. 如果 vcc drops 在下 一个 典型 vcc 下落 门槛 的
7.6v 在 运作, 然后 both 门 驱动 是 又一次 使保持
低. 这个 情况 persists 直到 这 vcc 电压 超过
这 vcc rising 门槛.
内部的 自举 设备
这 hip6602b 特性 一个 internal 自举 设备. simply
adding 一个 外部电容 横过 这 激励 和 阶段
管脚 完成 这 自举 电路.
这 自举 电容 必须 有 一个 最大 电压
比率 在之上 pvcc + 5v. 这 自举 电容 能 是
选择 从 这 下列的 等式:
在哪里 q
门
是 这 数量 的 门 承担 必需的 至 全部地
承担 这 门 的 这 upper 场效应晶体管. 这
∆
V
激励
期 是
定义 作 这 容许的 droop 在这 栏杆 的 这 upper 驱动.
作 一个 例子, 假定 一个 huf76139 是 选择 作 这
upper 场效应晶体管. 这 门 承担, q
门
, 从 这 数据
薄板 是 65nc 为 一个 10v upper 门 驱动. 我们 将 假设 一个
200mv droop 在 驱动 电压在 这 pwm 循环. 我们 find
那 一个 自举 电容 的 在 least 0.325µf 是 必需的.
这 next 大 标准 值 电容 是 0.33µf.
在 产品 这个 需要 向下 转换 从 +12v 或者
高等级的 和 pvcc 是 连接 至 一个 +12v 源, 一个 激励
电阻 在 序列 和 这 boot 电容 是 必需的. 这
增加 电源 密度 的 这些 设计 tend 至 含铅的 至
增加 ringing 在 这 boot 和 阶段 nodes, 预定的 至
faster 切换 的 大 电流 横过 给 电路
parasitic elements. 这 增加 的 这 激励 电阻 准许
为 tuning 的 这 电路 直到 这 顶峰 ringing 在 激励 是
在下 29v 从 激励 至 地和 17v 从 激励 至 vcc.
一个 激励 电阻 值 的 5
Ω
典型地 满足 这个 criteria.
在 一些 产品, 一个 好tuned 激励 电阻 减少 这
ringing 在 这 激励 管脚,但是 这 阶段 至 地 顶峰
ringing 超过 17v. 一个 门 电阻 放置 在 这 ugate
查出 在 这 控制 和 upper 场效应晶体管 门 是
推荐 至 减少 这 ringing 在 这 阶段 node 用
slowing 向下 这 upper 场效应晶体管 转变-在. 一个 门 电阻
值 在 2
Ω
至 10
Ω
典型地 减少 这 阶段 至
地 顶峰 ringing 在下 17v.
门 驱动 电压 versatility
这 hip6602b 提供 这 用户flexibility 在 choosing 这
门 驱动 电压. simply 应用 一个 电压 从 5v 向上 至
12v 在 pvcc 将 设置 两个都 驱动器 栏杆 电压.
电源 消耗
包装 电源 消耗 是 mainly 一个 函数 的 这 切换
频率 和 总的 门 承担 的 这 选择 mosfets.
calculating 这 电源 消耗 在 这 驱动器 为 一个 desired
应用 是 核心的 至 ensuring safe 运作. exceeding 这
最大 容许的 电源 消耗 水平的 将 推 这 ic
在之外 这 最大 推荐 运行 接合面
温度 的 125°c. 这 最大 容许的 ic 电源
消耗 为 这 14 含铅的 soic 包装 是 大概
1000mw. 改进 在 热的 转移 将 是 gained 用
增加 这 pc 板 铜 范围 周围 这 hip6602b.
adding 一个 地面 垫子 下面 这 ic 至 帮助 转移 热温 至 这
outer 附带的 的 这 板 将 帮助. 也 keeping 这 leads 至
这 ic 作 宽 作 可能 和 widening 这个 这些 leads 作
soon 作 可能 至 更远 增强 热温 转移 将 也 帮助.
当 designing 这 驱动器 在 一个 应用, 它 是
推荐 那 这 下列的 计算 是 执行 至
C
激励
Q
门
∆
V
激励
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≥
HIP6602B
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