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提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 electrostatic 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
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hip6601b, hip6603b, hip6604b
同步的 调整的 buck
场效应晶体管 驱动器
这 hip6601b, hip6603b 和 hip6604b 是 高-
频率, 双 场效应晶体管 驱动器 specifically 设计 至
驱动 二 电源 n-频道 mosfets 在 一个 同步的
调整的 buck 转换器 topology. 这些 驱动器 联合的
和 一个 hip63xx 或者 这 isl65xx序列 的 multi-阶段 buck
pwm 控制者 和 mosfets 表格 一个 完全 核心-
电压 调整器 解决方案 for 先进的 微处理器.
这 hip6601b 驱动 这 更小的 门 在 一个 同步的
整流器 至 12v, 当 这 upper 门 能 是 independently
驱动 在 一个 范围 从 5v 至 12v. 这 hip6603b 驱动
两个都 upper 和 更小的 门 在 一个 范围 的 5v 至 12v. 这个
驱动-电压 flexibility provides 这 有利因素 的 optimizing
产品 involving trade-offs 在 切换 losses
和 传导 losses. 这 hip6604b 能 是 配置 作
也 一个 hip6601b 或者 一个 hip6603b.
这 输出 驱动器 在 the hip6601b, hip6603b 和
hip6604b 有 这 capacity 至 efficiently 转变 电源
mosfets 在 发生率 向上 至 2mhz. 各自 驱动器 是
有能力 的 驱动 一个 3000pf 加载 和 一个 30ns 传播
延迟 和 50ns 转变 时间. 这些 产品 执行
bootstrapping 在 这 upper门 和 仅有的 一个 外部
电容 必需的. 这个 reduces implementation complexity
和 准许 这 使用 的 高等级的 效能, 费用 有效的,
n-频道 mosfets. adaptive shoot-通过 保护 是
整体的 至 阻止 两个都 mosfets 从 组织
同时发生地.
特性
• 驱动 二 n-频道 mosfets
• adaptive shoot-通过 保护
• 内部的 自举 设备
• 支持 高 切换 频率
- 快 输出 上升 时间
- 传播 延迟 30ns
• 小 8 ld soic 和 epsoic 和 16 ld qfn 包装
• 双 门-驱动 电压为 最优的 效率
• 三-状态 输入 为 输出 平台 关闭
• 供应 欠压 保护
• qfn 包装
- 一致的 至 电子元件工业联合会 pub95 mo-220 qfn—quad flat
非 leads—product 外形.
- near 碎片-规模 包装 footprint; 改进 pcb
效率 和 thinner 在 profile.
产品
• 核心 电压 供应 为 在电话 pentium® iii, amd®
athlon™ 微处理器
• 高 频率 低 profile 直流-直流 转换器
• 高 电流 低 电压 直流-直流 转换器
related literature
• 技术的 brief tb363,
指导原则 为 处理 和
处理 潮气 敏感的 表面 挂载 设备
(smds)
数据 薄板 july 20, 2005
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