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资料编号:163589
 
资料名称:BCP69T1
 
文件大小: 71.98K
   
说明
 
介绍:
MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
 
 


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1

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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BCP69T1
2
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= –100
µ
模数转换器, i
E
= 0) V
(br)ces
–25 Vdc
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= –1.0 madc, i
B
= 0) V
(br)ceo
–20 Vdc
发射级-根基 损坏 电压 (i
E
= –10
µ
模数转换器, i
C
= 0) V
(br)ebo
5.0 Vdc
集电级-根基 截止 电流 (v
CB
= – 25 vdc, i
E
= 0) I
CBO
–10
µ
模数转换器
发射级-根基 截止 电流 (v
EB
= – 5.0 vdc, i
C
= 0) I
EBO
–10
µ
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= – 5.0 madc, v
CE
= –10 vdc)
(i
C
= – 500 madc, v
CE
= –1.0 vdc)
(i
C
= –1.0 模数转换器, v
CE
= –1.0 vdc)
h
FE
50
85
60
375
集电级-发射级 饱和 电压 (i
C
= –1.0 模数转换器, i
B
= –100 madc) V
ce(sat)
0.5 Vdc
根基-发射级 在 电压 (i
C
= –1.0 模数转换器, v
CE
= –1.0 vdc) V
是(在)
–1.0 Vdc
动态 特性
电流-增益 — 带宽 产品
(i
C
= –10 madc, v
CE
= – 5.0 vdc)
f
T
60 MHz
典型 电的 特性
200
100
70
20
–10 –100 –1000
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 1. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
f , 电流 增益 带宽 产品 (mhz)
T
图示 2. 电流 增益 带宽 产品
300
200
100
30
70
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
v, 电压 (伏特)
图示 3. 饱和 和 “on” 电压
0
160
0
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 4. capacitances
c, 电容 (pf)
50
h
FE
, 电流 增益
V
CE
= –1.0 v
T
J
= 25
°
C
50
–10 –100 –1000
V
CE
= –10 v
T
J
= 25
°
C
f = 30 mhz
–1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–1.0 –100 –1000–10
V
(是)sat
@ i
C
/i
B
= 10
T
J
= 25
°
C
V
(是)在
@ v
CE
= –1.0 v
V
(ce)sat
@ i
C
/i
B
= 10
120
80
40
C
ob
C
ib
5.0
–1.0
2.0
4.0
2.5
5.0
C
ib
Cob
T
J
= 25
°
C
–1.0
2.0
–1.5
3.0
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