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资料编号:163636
资料名称:
BCP52-10
文件大小: 48.02K
说明
:
介绍
:
PNP Silicon AF Transistors
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bcp51...bcp53
2
十一月-29-2001
最大 比率
参数
标识
BCP51
BCP52
BCP53
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
45
60
80
V
集电级-发射级 电压
R
是
1k
V
CER
45
60
100
集电级-根基 电压
V
CBO
45
60
100
发射级-根基 电压
V
EBO
5
5
5
一个
直流 集电级 电流
1
I
C
顶峰 集电级 电流
1.5
I
CM
根基 电流
I
B
mA100
I
BM
顶峰 根基 电流
200
W
总的 电源 消耗
,
T
S
= 124 °c
P
tot
1.5
接合面 温度
T
j
150
°C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
17
k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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