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资料编号:163713
 
资料名称:BCP54
 
文件大小: 236.7K
   
说明
 
介绍:
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
 
 


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bcp54...bcp56
十一月-29-20012
最大 比率
参数
标识
BCP54 BCP55 BCP56
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
45 60 80 V
集电级-发射级 电压
R
1k
V
CER
45 60 100
集电级-根基 电压
V
CBO
45 60 100
发射级-根基 电压
V
EBO
5 5 5
直流 集电级 电流
I
C
1 一个
顶峰 集电级 电流
I
CM
1.5
根基 电流
I
B
100 毫安
顶峰 根基 电流
I
BM
200
总的 电源 消耗
,
T
S
= 124 °c
P
tot
1.5 W
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
17 k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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