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资料编号:163945
资料名称:
BCR135W
文件大小: 490.89K
说明
:
介绍
:
NPN Silicon Digital Transistor
: 点此下载
1
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
将-17-2004
4
bcr135.../semh9
直流 电流 增益
h
FE
=
ƒ
(
I
C
)
V
CE
= 5v (一般 发射级 配置)
10
-1
10
0
10
1
10
2
毫安
I
C
0
10
1
10
2
10
3
10
-
h
FE
集电级-发射级 饱和 电压
V
CEsat
=
ƒ
(
I
C
),
h
FE
= 20
0
0.2
0.4
0.6
V
1
V
CEsat
0
10
1
10
2
10
毫安
I
C
输入 在 电压
V
i
(在)
=
ƒ
(
I
C
)
V
CE
= 0.3v (一般 发射级 配置)
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
i(在)
-1
10
0
10
1
10
2
10
毫安
I
C
输入 止 电压
V
i(止)
=
ƒ
(
I
C
)
V
CE
= 5v (一般 发射级 配置)
0
0.5
1
V
2
V
i(止)
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
毫安
I
C
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