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资料编号:163972
资料名称:
BCR119S
文件大小: 490.07K
说明
:
介绍
:
NPN silicon Digital Transistor
: 点此下载
1
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7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
将-17-2004
2
bcr119.../semh7
最大 比率
参数
标识
值
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
50
V
集电级-根基 电压
V
CBO
50
发射级-根基 电压
V
EBO
5
输入 在 电压
V
i(在)
15
直流 集电级 电流
I
E
100
毫安
总的 电源 消耗-
bcr119,
T
S
≤
102°C
bcr119f,
T
S
≤
128°C
bcr119l3,
T
S
≤
135°C
bcr119s,
T
S
≤
115°C
bcr119t,
T
S
≤
109°C
bcr119w,
T
S
≤
124°C
semh7,
T
S
≤
75°C
P
tot
200
250
250
250
250
250
250
mW
接合面 温度
T
j
150
°C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
参数
标识
值
单位
接合面 - 焊接 要点
1)
BCR119
BCR119F
BCR119L3
BCR119S
BCR119T
BCR119W
SEMH7
R
thJS
≤
240
≤
90
≤
60
≤
140
≤
165
≤
105
≤
300
k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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