BCV61
3 jul-10-2001
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
ValuesSymbol 单位
最大值.最小值. 典型值
特性
V
BES
0.4
-
根基-发射级 向前 电压
I
E
= 10 µa
I
E
= 250 毫安
-
1.8
-
-
V
I
C1
/
I
C2
-
0.7
0.7
-
1.3
1.3
相一致 的 晶体管 t1 和 晶体管 t2
在
I
E2
= 0.5ma 和
V
CE1
= 5v
T
一个
= 25 °c
T
一个
= 150 °c
-
-
-
-
I
E2
- ma5thermal 连接 的 晶体管 t1 和
晶体管 t2
1)
t1:
V
CE
= 5v
最大 电流 的 热的 稳固 的
I
C1
-
交流 特性 为 晶体管 t1
转变 频率
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 100 mhz
f
T
- 250 - MHz
C
cb
3-
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
pf-
C
eb
8
发射级-根基 电容
V
EB
= 0.5 v,
f
= 1 mhz
--
噪音 图示
I
C
= 200 µa,
V
CE
= 5 v,
R
S
= 2
k
,
f
= 1 khz,
f
= 200
Hz
dB
F
- 2 -
h
11e
-4.5
短的-电路 输入 阻抗
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
k
-
打开-电路 反转 电压 transf.比率
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
10
-4
h
12e
- 2 -
短的-电路 向前 电流 transf.比率
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
21e
100 - 900 -
打开-电路 输出 admittance
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
22e
- 30 -
S
1) witout 发射级 电阻. 设备 挂载 在 alumina 15mm x 16.5mm x 0.7mm