BCV29_集成电路资料查询网

bcv29, bcv49
5 jul-12-2001
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
h
FE
= 1000
0
10
ehp00323bcv 29/49
BEsat
V
3.0
0
3
10
Ι
C
毫安
1.0 2.0
1
10
2
10
˚
C
V
5
5
150
25
˚
C
-50
˚
C
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
h
FE
= 1000
0
10
EHP00322bcv 29/49
CEsat
V
1.5
0
3
10
Ι
C
毫安
0.5 1.0
1
10
2
10
˚
C
V
5
5
150
25
˚
C
-50
˚
C
直流 电流 增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5v
10
ehp00325bcv 29/49
-1 3
10mA
3
10
6
10
5
5
10
0
10
1
10
4
C
FE
h
Ι
2
10
5
10
˚
C
125
5
25
˚
C
-55
˚
C
集电级-根基 电容
C
CB
=
f
(
V
CBO
)
发射级-根基 电容
C
EB
=
f
(
V
EBO
)
10
ehp00324bcv 29/49
-1 1
10
V
10
0
5
10
pF
0
EB0
VV
CB0
CB0
C
C
EB0
()
()
EB0
C
CB0
C

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bcv29, bcv49 5 jul-12-2001 根基-发射级饱和电压 I C = f ( V BEsat ), h FE = 1000 0 10 ehp00323bcv 29/49 BEsat V 3.0 0 3 10 Ι C 毫安 1.0 2.0 1 10 2 10 ˚ C V 5 5 150 25 ˚ C -50 ˚ C 集电级-发射级饱和电压 I C = f ( V CEsat ), h FE = 1000 0 10 EHP00322bcv 29/49 CEsat V 1.5 0 3 10 Ι C 毫安 0.5 1.0 1 10 2 10 ˚ C V 5 5 150 25 ˚ C -50 ˚ C 直流电流增益 h FE = f ( I C ) V CE = 5v 10 ehp00325bcv 29/49 -1 3 10mA 3 10 6 10 5 5 10 0 10 1 10 4 C FE h Ι 2 10 5 10 ˚ C 125 5 25 ˚ C -55 ˚ C 集电级-根基电容 C CB = f ( V CBO ) 发射级-根基电容 C EB = f ( V EBO ) 10 ehp00324bcv 29/49 -1 1 10 V 10 0 5 10 pF 0 EB0 VV CB0 CB0 C C EB0 () () EB0 C CB0 C

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