1
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
:
s, 职责 循环
#
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
:
s, schaltverhältnis
#
2%
8
2.5
最大值
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
Type
代号
1.9
bcv27, bcv47 darlington 晶体管
NPN 表面 挂载 si-外延的
PlanarTransistors NPN
si-外延的 planartransistoren
für 消逝 oberflächenmontage
版本 2004-01-20
电源 消耗 – verlustleistung 250 mw
塑料 情况 sot-23
Kunststoffgehäuse (至-236)
重量 approx. – gewicht ca. 0.01 g
塑料 材料 有 ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
维度 / maße 在 mm
1 = b1 2 = e2 3 = c
标准 包装 带子系紧 和 卷盘
标准 lieferform gegurtet auf rolle
最大 比率 (t
一个
= 25
/
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
/
c)
BCV27 BCV47
集电级-发射级-电压 v
是
= 0 V
CES
30 v 60 v
集电级-根基-电压 e 打开 V
CB0
40 v 80 v
发射级-根基-电压 c 打开 V
EB0
10 v
电源 消耗 – verlustleistung P
tot
250 mw
1
)
集电级 电流 – kollektorstrom (直流) I
C
500 毫安
顶峰 集电级 电流 – kollektor-spitzenstrom I
CM
800 毫安
根基 电流 – basisstrom (直流) I
B
100 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150
/
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 65…+ 150
/
C
特性 (t
j
= 25
/
c) kennwerte (t
j
= 25
/
c)
最小值 典型值 最大值
集电级-根基 截止 电流 – kollektorreststrom
I
E
= 0, v
CB
= 30 v
I
E
= 0, v
CB
= 60 v
BCV27
BCV47
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
100 na
100 na
发射级-根基 截止 电流 – emitterreststrom
I
C
= 0, v
EB
= 10 v I
EB0
– – 100 na
集电级 饱和 volt. – kollektor-sättigungsspg.
2
)
I
C
= 100 毫安, i
B
= 0.1 毫安 V
CEsat
– – 1 v
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