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资料编号:164524
 
资料名称:BCW70LT1
 
文件大小: 254.03K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(PNP Silicon)
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
m13–4/6
典型 静态的 特性
bcw69lt1 bcw70lt1
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 6. 集电级 饱和 区域
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 11. 温度 coefficients
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
图示 7. 集电级 特性
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 10. “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
v, 电压 (伏特)
V
CE
, collector– 发射级 电压 (伏特)
θ
V
, 温度 coefficients (mv/°c)
θ
VB
为 v
∗ θ
VC
为 v
ce(sat)
V
是(在)
@ v
CE
= 1.0 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
T
J
=25°C
I
C
= 1.0 毫安
50 毫安
100 毫安10 毫安
T
J
= 25°c
*applies 为 i
C
/ i
B
<
h
FE
/ 2
T
一个
= 25°c
脉冲波 宽度 =300
µ
s
职责 循环
<
2.0%
I
B
= 400 毫安
150
µ
一个
200
µ
一个
250
µ
一个
350
µ
一个
–55°c 至 25°c
–55°c 至 25°c
25°c 至 125°c
25°c 至 125°c
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
1.6
0.8
0
–0.8
–1.6
–2.4
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.002 0.0050.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
100
80
60
40
20
0
0 5.0 10 15 20 25 30 35 40
100
µ
一个
50
µ
一个
300
µ
一个
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