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电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
标识 最小值 典型值 最大值 单位
直流 电流 增益
(1)
在 v
CE
= 1V, i
C
= 10mah
FE
1
8
0
在 v
CE
=
2
V, i
C
= 100mah
FE
25
0
63
0
在 v
CE
= 2V, i
C
= 500mah
FE
10
0
集电级-发射级 饱和 电压
(1)
在 i
C
= 100ma, i
B
= 10ma V
CEsat
––
0.3 V
在 i
C
= 500ma, i
B
= 50maV
CEsat
––
1.0
V
根基-发射级 饱和 电压
(1)
在 i
C
= 100ma, i
B
= 10ma V
BEsat
––
1.25 V
在 i
C
= 500ma, i
B
= 50ma V
BEsat
––
2V
集电级-发射级 损坏 电压
在 i
C
= 10ma, i
B
= 0
V
(br)ceo
45
––
V
集电级-根基 损坏 电压
在 i
C
= 10
µ
一个, i
B
= 0
V
(br)cbo
60
––
V
发射级-根基 损坏 电压
在 i
E
= 10
µ
一个, 在 i
C
= 0
V
(br)ebo
5
––
V
集电级-根基 截-止 电流
在 v
CB
= 45v, i
E
= 0 I
CBO
––
20 nA
在 v
CB
= 45v, i
E
= 0, t
一个
= 150
°
CI
CBO
––
20
µ
一个
发射级-根基 截-止 电流
在 v
EB
= 4v, i
C
= 0
I
EBO
––
20 nA
增益-带宽 产品
在 v
CE
=
10
V,I
C
=
2
0ma, f =
10
0MH
Z
f
T
–
1
00
–
MHz
集电级-根基 电容
在 v
CB
= 10v, f = 1mhz
C
CB
–
6
–
pF
发射级-根基 电容
在 v
EB
= 0.5v, f = 1mhz
C
EB
–
60
–
pF
便条:
(1) 脉冲波 测试: t
≤
300
µ
s, d = 2%
www.mccsemi.com
MCC
B
CW68H

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电的特性 (t 一个 = 25 ° c 除非否则指出) 标识最小值典型值最大值单位直流电流增益 (1) 在 v CE = 1V, i C = 10mah FE 1 8 0 在 v CE = 2 V, i C = 100mah FE 25 0 63 0 在 v CE = 2V, i C = 500mah FE 10 0 集电级-发射级饱和电压 (1) 在 i C = 100ma, i B = 10ma V CEsat –– 0.3 V 在 i C = 500ma, i B = 50maV CEsat –– 1.0 V 根基-发射级饱和电压 (1) 在 i C = 100ma, i B = 10ma V BEsat –– 1.25 V 在 i C = 500ma, i B = 50ma V BEsat –– 2V 集电级-发射级损坏电压在 i C = 10ma, i B = 0 V (br)ceo 45 –– V 集电级-根基损坏电压在 i C = 10 µ 一个, i B = 0 V (br)cbo 60 –– V 发射级-根基损坏电压在 i E = 10 µ 一个, 在 i C = 0 V (br)ebo 5 –– V 集电级-根基截-止电流在 v CB = 45v, i E = 0 I CBO –– 20 nA 在 v CB = 45v, i E = 0, t 一个 = 150 ° CI CBO –– 20 µ 一个发射级-根基截-止电流在 v EB = 4v, i C = 0 I EBO –– 20 nA 增益-带宽产品在 v CE = 10 V,I C = 2 0ma, f = 10 0MH Z f T – 1 00 – MHz 集电级-根基电容在 v CB = 10v, f = 1mhz C CB – 6 – pF 发射级-根基电容在 v EB = 0.5v, f = 1mhz C EB – 60 – pF 便条: (1) 脉冲波测试: t ≤ 300 µ s, d = 2% www.mccsemi.com MCC B CW68H

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