1
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
2
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
47
01.11.2003
一般 目的 晶体管 bcw 69, bcw 70
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
根基 饱和 电压– 基准-sättigungsspannung
1
)
- i
C
= 10 毫安, - i
B
= 0.5 毫安 - v
BEsat
– 720 mv –
- i
C
= 50 毫安, - i
B
= 2.5 毫安 - v
BEsat
– 810 mv –
直流 电流 增益 – kollekt或者-基准-stromverhältnis
1
)
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 10
一个
bcw 69 h
FE
–90–
bcw 70 h
FE
– 150 –
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 2 毫安
bcw 69 h
FE
120 – 260
bcw 70 h
FE
215 – 500
根基-发射级 电压 –基准-发射级-spannung
1
)
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 2 毫安 - v
BEon
600 mv – 750 mv
增益-带宽 product – transitfrequenz
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 10 毫安, f = 100 mhz f
T
100 mhz – –
集电级-根基 电容– kollektor-基准-kapazität
- v
CB
= 10 v, i
E
= i
e
= 0, f = 1 mhz C
CB0
– 4.5 pf –
噪音 图示 – rauschzahl
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 200
一个, r
G
= 2 k
,
f = 1 khz,
f = 200 hz
F – – 10 db
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
R
thA
420 k/w
2
)
推荐 complementary npn 晶体管
empfohlene komplementäre npn-transistoren
bcw 71, bcw 72
标记 – stempelung bcw 69 = h1 bcw 70 = h2
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