1
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
2
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
37
01.11.2003
一般 目的 晶体管 bcw 31, bcw 32, bcw 33
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
根基 饱和 电压– 基准-sättigungsspannung
1
)
I
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安 V
BEsat
– 750 mv –
I
C
= 50 毫安, i
B
= 2.5 毫安 V
BEsat
– 850 mv –
直流 电流 增益 – kollekt或者-基准-stromverhältnis
1
)
V
CE
= 5 v, i
C
= 10
一个
bcw 31 h
FE
– 190 –
bcw 32 h
FE
– 330 –
bcw 33 h
FE
– 600 –
V
CE
= 5 v, i
C
= 2 毫安
bcw 31 h
FE
110 – 220
bcw 32 h
FE
200 – 450
bcw 33 h
FE
420 – 800
根基-发射级 电压 –基准-发射级-spannung
1
)
V
CE
= 5 v, i
C
= 2 毫安 V
BEon
550 mv – 700 mv
增益-带宽 product – transitfrequenz
V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安, f = 100 mhz f
T
100 mhz – –
集电级-根基 电容– kollektor-基准-kapazität
V
CB
= 10 v, i
E
= i
e
= 0, f = 1 mhz C
CB0
– 2.5 pf –
噪音 图示 – rauschzahl
V
CE
= 5 v, i
C
= 200
一个, r
G
= 2 k
,
f = 1 khz,
f = 200 hz
F – – 10 db
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
R
thA
420 k/w
2
)
推荐 complementary pnp 晶体管
empfohlene komplementäre pnp-transistoren
bcw 29, bcw 30
标记 – stempelung bcw 31 = d1 bcw 32 = d2 bcw 33 = d3
: 点此下载
