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资料编号:164706
资料名称:
BCW61D
文件大小: 183.12K
说明
:
介绍
:
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
: 点此下载
1
2
3
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5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bcw61, bcx71
3
jul-10-2001
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
交流 特性
集电级 截止 电流
V
CB
= 32 v,
I
E
= 0
V
CB
= 45 v,
I
E
= 0
bcw61/61ff
BCX71
I
CBO
-
-
-
-
20
20
nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 32 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
V
CB
= 45 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
bcw61/61ff
BCX71
I
CBO
-
-
-
-
20
20
µA
发射级 截止 电流
V
EB
= 4 v,
I
C
= 0
I
EBO
-
-
20
nA
直流 电流 增益 1)
I
C
= 10 µa,
V
CE
= 5 v
h
FE
-grp.
一个/g
h
FE
-grp.
b/h
h
FE
-grp.
c/j/ff
h
FE
-grp.
d/k/fn
h
FE
20
30
40
100
140
200
300
460
-
-
-
-
-
直流 电流 增益 1)
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v
h
FE
-grp.
一个/g
h
FE
-grp.
b/h
h
FE
-grp.
c/j/ff
h
FE
-grp.
d/k/fn
h
FE
120
180
250
380
170
250
350
500
220
310
460
630
直流 电流 增益 1)
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 1 v
h
FE
-grp.
一个/g
h
FE
-grp.
b/h
h
FE
-grp.
c/j/ff
h
FE
-grp.
d/k/fn
h
FE
60
80
100
110
-
-
-
-
-
-
-
-
1) 脉冲波 测试: t
≤
=
300
µ
s, d = 2%
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