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资料编号:164898
 
资料名称:BCX54
 
文件大小: 146.13K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current)
 
 


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bcx54...bcx56
3 jul-10-2001
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
BCX54
BCX55
BCX56
V
(br)ceo
45
60
80
-
-
-
-
-
-
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100 µa,
I
B
= 0
BCX54
BCX55
BCX56
V
(br)cbo
45
60
100
-
-
-
-
-
-
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
5 - -
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 100 nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
I
CBO
- - 20 µA
直流 电流 增益 1)
I
C
= 5 毫安,
V
CE
= 2 v
h
FE
25 - - -
直流 电流 增益 1)
I
C
= 150 毫安,
V
CE
= 2 v
bcx54...56
hfe-grp.10
hfe-grp.16
h
FE
40
63
100
-
100
160
250
160
250
直流 电流 增益 1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 2 v
h
FE
25 - -
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
CEsat
- - 0.5 V
根基-发射级 电压 1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 2 v
V
是(在)
- - 1
交流 特性
f
T
- 100 - MHz
转变 频率
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 20 mhz
1) 脉冲波 测试: t
=
300
µ
s, d = 2%
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