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资料编号:164910
 
资料名称:BCX70J
 
文件大小: 282.21K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
J
= 25°c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BCX70G V
ce =
5 v, i
C
= 10
µ
A———
BCX70H V
ce =
5 v, i
C
= 10
µ
A30
BCX70J V
ce =
5 v, i
C
= 10
µ
A40
BCX70K V
ce =
5 v, i
C
= 10
µ
一个 100
BCX70G V
ce =
5 v, i
C
= 2 毫安 120 220
直流 电流 增益
BCX70H
h
FE
V
ce =
5 v, i
C
= 2 毫安 180 310
BCX70J V
ce =
5 v, i
C
= 2 毫安 250 460
BCX70K V
ce =
5 v, i
C
= 2 毫安 380 630
BCX70G V
ce =
1 v, i
C
= 50 毫安 50
BCX70H V
ce =
1 v, i
C
= 50 毫安 70
BCX70J V
ce =
1 v, i
C
= 50 毫安 90
BCX70K V
ce =
1 v, i
C
= 50 毫安 100
集电级-发射级 饱和 电压 V
CEsat
I
C
= 10 毫安, i
B
= 0.25 毫安 50 350
mV
I
C
= 50 毫安, i
B
= 1.25 毫安 100 550
根基-发射级 饱和 电压 V
BEsat
I
C
= 10 毫安, i
B
= 0.25 毫安 600 850
mV
I
C
= 50 毫安, i
B
= 1.25 毫安 700 1050
V
CE
= 5 v, i
C
= 2 毫安 550 650 750
根基-发射级 电压 V
V
CE
= 5 v, i
C
= 10
µ
一个 520 mV
V
CE
= 1 v, i
C
= 50 毫安 780
V
CB
= 45 v, v
= 0 v 20 nA
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
= 45 v, v
= 0 v
——20
µ
一个
T
一个
= 150°c
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
= 4 v, i
C
= 0 20 nA
增益-带宽 产品 f
T
V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
100 250 MHz
f = 100 mhz
集电级-根基 电容 C
CBO
V
CB
=10 v, f=1 mhz,i
E
= 0 2.5 pF
发射级-根基 电容 C
EBO
V
EB
= 0.5 v, f = 1 mhz, I
C
= 0—8—pf
V
CE
=5v, i
C
= 200
µ
一个,
噪音 图示 F R
S
=2 k
, f = 1 khz, 2 6 dB
B = 200 Hz
BCX70G 200
小 信号 电流 增益
BCX70H
h
fe
V
CE
= 5 v, i
C
= 2 毫安, 260
BCX70J f = 1.0 khz 330
BCX70K 520
转变-在 时间 在 r
L
= 990
(看 图. 1) t
V
CC
= 10 v, i
C
= 10 毫安,
85 150 ns
I
b(在) =
-i
b(止)
= 1 毫安
转变-止 时间 在 r
L
= 990
(看 图. 1) t
V
CC
= 10 v, i
C
= 10 毫安,
480 800 ns
I
b(在) =
-i
b(止)
= 1 毫安
bcx70 序列
小 信号 晶体管 (npn)
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