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资料编号:164965
资料名称:
BCX71H
文件大小: 88.73K
说明
:
介绍
:
PNP Silicon AF Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bcw61, bcx71
2
jul-10-2001
最大 比率
参数
标识
BCW61
BCW61FF
BCX71
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
32
32
45
V
集电级-根基 电压
V
CBO
32
32
45
发射级-根基 电压
V
EBO
5
5
5
直流 集电级 电流
I
C
mA100
顶峰 集电级 电流
200
毫安
I
CM
顶峰 根基 电流
200
I
BM
总的 电源 消耗
,
T
S
= 71 °c
P
tot
mW330
接合面 温度
T
j
150
°C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
240
k/w
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
bcw61/61ff
BCX71
V
(br)ceo
32
45
-
-
-
-
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
B
= 0
bcw61/61ff
BCX71
V
(br)cbo
32
45
-
-
-
-
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 1 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
5
-
-
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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