1997 六月 17 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 切换 晶体管 bcy58; bcy59
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 2 毫安; v
CE
=5V
bcy58/vii; bcy59/vii 120 170 220
bcy58/viii; bcy59/viii 180 250 310
bcy58/ix; bcy59/ix 250 350 460
bcy58/x; bcy59/x 380 500 630
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 10 毫安; v
CE
=1V
bcy58/vii; bcy59/vii 80 250
−
bcy58/viii; bcy59/viii 120 300 400
bcy58/ix; bcy59/ix 160 390 630
bcy58/x; bcy59/x 240 550 1000
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 100 毫安; v
CE
=1V
bcy58/vii; bcy59/vii 40
−−
bcy58/viii; bcy59/viii 45
−−
bcy58/ix; bcy59/ix 60
−−
bcy58/x; bcy59/x 60
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 0.25 毫安 50 100 350 mV
I
C
= 100 毫安; i
B
= 2.5 毫安 150 250 700 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 0.25 毫安 600 700 850 mV
I
C
= 100 毫安; i
B
= 2.5 毫安 750 875 1200 mV
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 10 v; f = 1 MHz
−−
5pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 500 mv; f = 1 MHz
−−
15 pF
f
T
转变 频率 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 5 v; f = 100 MHz 150
−−
MHz
F 噪音 figure I
C
= 200
µ
一个; v
CE
=5v; r
S
=2k
Ω
;
f = 1 khz; b = 200 Hz
−−
10 dB
切换 时间 (在 10% 和 90% 水平)
t
在
转变-在 时间 I
Con
= 10 毫安; i
Bon
= 1 毫安;
I
Boff
=
−
1mA
−
85 150 ns
t
d
延迟 时间
−
35
−
ns
t
r
上升 时间
−
50
−
ns
t
止
转变-止 时间
−
480 800 ns
t
s
存储 时间
−
400
−
ns
t
f
下降 时间
−
80
−
ns
t
在
转变-在 时间 I
Con
= 100 毫安; i
Bon
=10ma;
I
Boff
=
−
10 毫安
−
55 150 ns
t
d
延迟 时间
−
5
−
ns
t
r
上升 时间
−
50
−
ns
t
止
转变-止 时间
−
450 800 ns
t
s
存储 时间
−
250
−
ns
t
f
下降 时间
−
200
−
ns
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
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