1997 六月 17 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 切换 晶体管 bcy58; bcy59
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
热的 特性
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
BCY58
−
32 V
BCY59
−
45 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
BCY58
−
32 V
BCY59
−
45 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
7V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
100 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
−
200 毫安
I
BM
顶峰 根基 电流
−
200 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
45
°
C
−
340 mW
T
情况
≤
45
°
C
−
1W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
200
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
65 +150
°
C
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 在 自由 空气 450 k/w
R
th j-c
热的 阻抗 从 接合面 至 情况 150 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流
BCY58 I
E
= 0; v
CB
=32V
−−
10 nA
I
E
= 0; v
CB
= 32 v; t
j
= 150
°
C
−−
10
µ
一个
I
CBO
集电级 截-止 电流
BCY59 I
E
= 0; v
CB
=45V
−−
10 nA
I
E
= 0; v
CB
= 45 v; t
j
= 150
°
C
−−
10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=5V
−−
10 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=10
µ
一个; v
CE
=5V
bcy58/vii; bcy59/vii
−
20
−
bcy58/viii; bcy59/viii 20 95
−
bcy58/ix; bcy59/ix 40 190
−
bcy58/x; bcy59/x 100 300
−
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