©2000 仙童 半导体 国际的
bd136/138/140
rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 根基-发射级 电压 图示 4. safe 运行 范围
图示 5. 电源 减额
-10 -100 -1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
CE
= -2v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
-1e-3 -0.01 -0.1 -1 -10
-0
-50
-100
-150
-200
-250
-300
-350
-400
-450
-500
I
C
= 10 i
B
I
C
= 20 i
B
V
CE
(sat)[mv], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
-1e-3 -0.01 -0.1 -1 -10
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
-1.1
V
是
(在)
V
CE
= -5v
V
是
(sat)
I
C
= 10 i
B
V
是
[v], 根基-发射级 电压
I
C
[a], 集电级 电流
-1 -10 -100
-0.01
-0.1
-1
-10
BD140
BD138
BD136
10us
100us
1ms
直流
I
C
最大值 (搏动)
I
C
最大值 (持续的)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
17.5
20.0
P
C
[w], 电源 消耗
T
C
[
o
c], 情况 温度
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