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©2001 仙童 半导体 公司
bd157/158/159
rev. a1, 六月 2001
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. safe 运行 范围 图示 4. 电源 减额
1e-4 1e-3 0.01 0.1 1
1
10
100
1000
0.0001
V
CE
= 10v
0.001
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
1e-4 1e-3 0.01 0.1 1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
C
= 10 i
B
V
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
1 10 100 1000
1e-3
0.01
0.1
1
10
10
µ
s
BD157
BD158
BD159
100
µ
s
500
µ
s
1ms
直流
I
C
最大值 (搏动)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175
0
5
10
15
20
25
P
C
[w], 电源 消耗
T
C
[
o
c], 情况 温度

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©2001 仙童半导体公司 bd157/158/159 rev. a1, 六月 2001 典型特性图示 1. 直流电流增益图示 2. 集电级-发射级饱和电压图示 3. safe 运行范围图示 4. 电源减额 1e-4 1e-3 0.01 0.1 1 1 10 100 1000 0.0001 V CE = 10v 0.001 h FE , 直流电流增益 I C [a], 集电级电流 1e-4 1e-3 0.01 0.1 1 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 I C = 10 i B V CE (sat)[v], 饱和电压 I C [a], 集电级电流 1 10 100 1000 1e-3 0.01 0.1 1 10 10 µ s BD157 BD158 BD159 100 µ s 500 µ s 1ms 直流 I C 最大值 (搏动) I C [a], 集电级电流 V CE [v], 集电级-发射级电压 0 25 50 75 100 125 150 175 0 5 10 15 20 25 P C [w], 电源消耗 T C [ o c], 情况温度

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