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资料编号:165489
 
资料名称:BD179
 
文件大小: 106.94K
   
说明
 
介绍:
POWER TRANSISTORS NPN SILICON
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BD179 bd179-10
2
motorola 双极 电源 晶体管 设备 数据
图示 1. 起作用的 区域 safe 运行 范围
10
2.0
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.1
3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 100
secondary 损坏 限制
热的 限制
(base–emitter 消耗 是
重大的 在之上 i
C
= 2.0 放大)
脉冲波 职责 循环 < 10%
70
0.3
0.2
I
C
, 集电级 电流 (放大)
T
J
= 150
°
C
直流
5.0 ms
1.0
100
µ
s
1.0 ms
safe 运行 范围 曲线表明 i
C
– v
CE
限制
在下这个 这 设备 将 不 enter secondary损坏.
集电级加载 线条 为 明确的 电路 必须 下降 在里面 这ap-
plicablesafe 范围 至 避免 造成 一个 catastrophic 失败. to
insure运作 在下 这 最大 t
J
, power–temperature
减额必须 是observed 为 两个都 稳步的 状态 和 脉冲波
电源 情况.
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
图示 2. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
1.0
0
0.2
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0 2.0 10 30 50 200
I
C
= 0.1 一个 0.25 一个 1.0 a0.5 一个
0.3 0.5 100203.0 5.0
T
J
= 25
°
C
h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
1000
图示 3. 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
10
100
T
J
= + 150
°
C
T
J
= + 55
°
C
V
CE
= 2.0 v
700
500
300
200
70
50
30
20
T
J
= + 25
°
C
3.0 5.0 10 20 30 50 20002.0 100 200 1000300 500
图示 4. “on” 电压
0
1.5
3.0 5.0 10 20 30 50 20002.0 100 200 1000300 500
1.2
0.9
0.6
0.3
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
T
J
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
电压 (伏特)
V
@ v
CE
= 2.0 v
图示 5. 热的 回馈
t, 时间 或者 脉冲波 宽度 (ms)
1.0
0.01
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03
r(t), normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 1000500
θ
JC
(t) = r(t)
θ
JC
θ
JC
= 4.16
°
c/w 最大值
θ
JC
= 3.5
°
c/w 典型值
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
– t
C
= p
(pk)
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
d = 0.5
单独的 脉冲波
d = 0.2
d = 0.1
d = 0.05
d = 0.01
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