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九月 1981 - 修订 march 1997
bd239d, bd239e, bd239f
npn 硅 电源 晶体管
产品  信息
典型 典型的S
图示 1. 图示 2.
图示 3.
典型 直流 电流 增益
vs
集电级 电流
I
C
- 集电级 电流 - 一个
0·01 0·1 1·0
h
FE
- 直流 电流 增益
10
100
1000
TCS631AG
V
CE
= 4 v
t
p
= 300 µs, 职责 循环 < 2%
T
C
= 25°c
T
C
= 80°c
集电级-发射级 饱和 电压
vs
根基 电流
I
B
- 根基 电流 - 毫安
0·1 1·0 10 100 1000
V
ce(sat)
- 集电级-发射级 饱和 电压 - v
0·01
0·1
1·0
10
TCS631AE
I
C
= 100 毫安
I
C
= 300 毫安
I
C
= 1 一个
根基-发射级 电压
vs
集电级 电流
I
C
- 集电级 电流 - 一个
0·01 0·1 1·0
V
是
- 根基-发射级 电压 - v
0·5
0·6
0·7
0·8
0·9
1·0
TCS631AF
V
CE
= 4 v
T
C
= 25°c

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3 九月 1981 - 修订 march 1997 bd239d, bd239e, bd239f npn 硅电源晶体管产品信息典型典型的S 图示 1. 图示 2. 图示 3. 典型直流电流增益 vs 集电级电流 I C - 集电级电流 - 一个 0·01 0·1 1·0 h FE - 直流电流增益 10 100 1000 TCS631AG V CE = 4 v t p = 300 µs, 职责循环 < 2% T C = 25°c T C = 80°c 集电级-发射级饱和电压 vs 根基电流 I B - 根基电流 - 毫安 0·1 1·0 10 100 1000 V ce(sat) - 集电级-发射级饱和电压 - v 0·01 0·1 1·0 10 TCS631AE I C = 100 毫安 I C = 300 毫安 I C = 1 一个根基-发射级电压 vs 集电级电流 I C - 集电级电流 - 一个 0·01 0·1 1·0 V 是 - 根基-发射级电压 - v 0·5 0·6 0·7 0·8 0·9 1·0 TCS631AF V CE = 4 v T C = 25°c

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