©2000 仙童 半导体 国际的
bd675a/677a/679a/681
rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 根基-发射级 在 电压 图示 4. safe 运行 范围
图示 5. 电源 减额
0.1 1 10
100
1000
10000
V
CE
= 3v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
ic = 250 i
B
V
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.0
V
CE
= 3v
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
1 10 100 1000
0.1
1
10
BD677A
10
µ
s
I
C
(最大值). 搏动
BD681
BD679A
BD675A
100
µ
s
1ms
10ms
直流
I
C
(最大值). 持续的
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175 200
0
10
20
30
40
50
P
C
[w], 电源 消耗
T
C
[
o
c], 情况 温度