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资料编号:166862
 
资料名称:BDW94CFP
 
文件大小: 37.14K
   
说明
 
介绍:
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
热的 阻抗 接合面-case 3.8
o
c/w
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
Collect或者 截-
电流 (i
E
=0)
V
CB
=100V
V
CB
=100V T
情况
=150
o
C
100
5
µ
一个
毫安
I
CEO
Collect或者 截-
电流 (i
B
=0)
V
CE
=80V 1 毫安
I
EBO
Emitter 截-止 电流
(i
C
=0)
V
EB
=5V 2 毫安
V
ceo(s美国 )
Collect或者-Emitter
Sustaining 电压
(i
B
=0)
I
C
= 100 毫安 100 V
V
ce(sat)
Collect或者-Emitter
Saturation 电压
I
C
=5A I
B
=20mA
I
C
=10A I
B
=100mA
2
3
V
V
V
是(s在)
根基-emitter
Saturation 电压
I
C
=5A I
B
=20mA
I
C
=10A I
B
=100mA
2.5
4
V
V
h
FE
直流 电流 Gain I
C
=3A V
CE
=3V
I
C
=5A V
CE
=3V
I
C
=10A V
CE
=3V
1000
750
100
20000
V
F
* 并行的-二极管 向前
电压
I
F
=5A
I
F
=10A
1.3
1.8
2
4
V
V
h
fe
Sm所有 信号 Current
增益
IC = 1 一个 V
CE
=10V
f=1MHz 20
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %
PNP 类型 电压 电流 负的.
Safe 运行 范围
BDW93CFP / BDW94CFP
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