首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:166869
 
资料名称:BDW42
 
文件大小: 176.16K
   
说明
 
介绍:
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
 
 


: 点此下载
  浏览型号BDW42的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号BDW42的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号BDW42的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号BDW42的Datasheet PDF文件第4页
4

5
浏览型号BDW42的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号BDW42的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号BDW42的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bdw42* − npn, bdw46, bdw47* − pnp
http://onsemi.com
5
0.1
图示 9. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (放大)
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 10
500
300
h
FE
, 直流 电流 增益
T
J
= 150
°
C
25
°
C
−55
°
C
V
CE
= 3.0 v
200
7.0
bdw42 (npn)
bdw46, 47 (pnp)
20,000
5000
10,000
3000
2000
1000
3.0 5.0
0.1
I
C
, 集电级 电流 (放大)
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 10
500
300
h
FE
, 直流 电流 增益
T
J
= 150
°
C
25
°
C
−55
°
C
V
CE
= 3.0 v
200
7.0
20,000
5000
10,000
3000
2000
1000
3.0 5.0
7000
700
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
图示 10. 集电级 饱和 区域
3.0
I
B
, 根基 电流 (毫安)
0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 30
2.6
2.2
1.8
1.4
I
C
= 2.0 一个
T
J
= 25
°
C
4.0 一个 6.0 一个
1.0
0.7 2010
3.0
I
B
, 根基 电流 (毫安)
0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 30
2.6
2.2
1.8
1.4
I
C
= 2.0 一个
T
J
= 25
°
C
4.0 一个 6.0 一个
1.0
0.7 2010
I
C
, 集电级 电流 (放大)
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 250
v, 电压 (伏特)
图示 11. “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (放大)
v, 电压 (伏特)
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 250
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 250
T
J
= 25
°
C
V
@ v
CE
= 4.0 v
V
@ v
CE
= 4.0 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 250
T
J
= 25
°
C
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 107.03.0 5.0 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 107.03.0 5.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com