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资料编号:166879
 
资料名称:BDW47
 
文件大小: 414.16K
   
说明
 
介绍:
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
 
 


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bdw42* − npn, bdw46, bdw47* − pnp
http://onsemi.com
6
V
, 温度 系数 (mv/ c)
°
θ
+5.0
图示 12. 温度 coefficients
I
C
, 集电级 电流 (放大)
0.1 0.2 0.3 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
−55
°
c 至 25
°
C
+4.0
+3.0
+1.0
0
−4.0
−1.0
−2.0
−3.0
−5.0
θ
VB
为 v
*
θ
VC
为 v
ce(sat)
−55
°
c 至 25
°
C
25
°
c 至 150
°
C
25
°
c 至 150
°
C
*I
C
/i
B
250
0.5 0.7
+5.0
I
C
, 集电级 电流 (放大)
0.1 0.2 0.3 1.0 2.0 3.0 5.0 10
−55
°
c 至 +25
°
C
V
, 温度 coefficients (mv/ c)
°
θ
+4.0
+3.0
+1.0
0
−4.0
−1.0
−2.0
−3.0
−5.0
θ
VB
为 v
*
θ
VC
为 v
ce(sat)
−55
°
c 至 + 25
°
C
+25
°
c 至 150
°
C
+25
°
c 至 150
°
C
*I
C
/i
B
250
0.5
+2.0
+2.0
bdw42 (npn) bdw46, 47 (pnp)
10
5
图示 13. 集电级 cut−off 区域
V
, base−emitter 电压 (伏特)
10
2
10
1
10
0
, 集电级 电流 (a)
µ
I
C
10
− 1
−0.2 −0.40+0.2+0.4+0.6
V
CE
= 30 v
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
反转
向前
10
3
10
4
−0.6 −0.8 −1.0 −1.2 −1.4
10
5
V
, base−emitter 电压 (伏特)
10
2
10
1
10
0
, 集电级 电流 (a)
µ
I
C
10
− 1
+0.2 +0.40−0.2−0.4−0.6
V
CE
= 30 v
反转 向前
10
3
10
4
+0.6 +0.8 +1.0 +1.2 + 1.4
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
图示 14. darlington 图式
NPN
BDW42
PNP
BDW46
BDW47
根基
集电级
发射级
8.0 k
60
根基
集电级
发射级
8.0 k
60
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