©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
BDW93CF
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 根基-发射级 在 电压 图示 4. 集电级 输出 电容
图示 5. safe 运行 范围 图示 6. 电源 减额
0.1 1 10 100
100
1k
10k
100k
V
CE
= 3v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100
0.1
1
10
I
C
= 250 i
B
V
CE
(sat) [v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
0
4
8
12
16
20
V
CE
= 3 v
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
110100
10
100
1000
f=1MHz
I
E
=0
C
ob
[pf], 输出 capactiance
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
1 10 100 1000
0.1
1
10
100
100 美国
1 ms
5 ms
直流
I
C
最大值
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级 发射级 电压
0 255075100125150175
0
10
20
30
40
50
P
D
[w], 电源 消耗
T
C
[
o
c], 情况 温度
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