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资料编号:167166
 
资料名称:BDX54F
 
文件大小: 47.91K
   
说明
 
介绍:
SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
R
thj-amb
热的 阻抗 接合面-情况 最大值
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
2.08
70
o
c/w
o
c/w
电的 特性
(t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CEO
集电级 截-止
电流 (i
E
= 0)
V
CE
= 80 v 0.5 毫安
I
CBO
集电级 截-止
电流 (i
B
= 0)
V
CB
= 160 v 0.2 毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流
(i
C
= 0)
V
EB
= 5 v 5 毫安
V
ceo(sus)
集电级-发射级
sustaining 电压
(i
B
= 0)
I
C
= 50 毫安 160 V
V
ce(sat)
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= 2 一个 i
B
=10 毫安 2 V
V
是(sat)
根基-发射级
饱和 电压
I
C
= 2 一个 i
B
=10 毫安 2.5 V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 2 一个 v
CE
= 5 v
I
C
= 3 一个 v
CE
= 5 v
500
150
V
F
并行的 二极管 向前
电压
I
F
= 2 一个 2.5 V
h
fe
小 信号 电流
增益
I
C
= 0.5 一个
f = 1mhz v
CE
= 2 v 20
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %
.
BDX54F
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