DS2761
11 的 24
记忆
这 ds2761 有 一个 256-字节 直线的 地址 空间 和 registers 为 仪器, 状态, 和 控制 在
这 更小的 32 字节, 和 lockable 可擦可编程只读存储器 和 sram 记忆 occupying portions 的 这 remaining
地址 空间. 所有 可擦可编程只读存储器 和sram 记忆 是 一般 purpose 除了 地址 30h, 31h, 和 33h,
这个 应当 是 写 和 这 default 值 为 这 保护 register, 状态 寄存器, 和 电流
补偿 寄存器, 各自. 当 这 msb 的 任何二-字节 寄存器 是 读, 两个都 这 msb 和 lsb 是
latched 和 使保持 为 这 持续时间 的 这 读 数据command 至 阻止 updates 在 这 读 和 确保
同步 在 这 二 寄存器 字节. 为 consistent 结果, 总是 读 这 msb 和 这 lsb
的 一个 二-字节 寄存器 在 the 一样 读 数据 command sequence.
可擦可编程只读存储器 记忆 是 shadowed 用 内存 至 eliminate 程序编制 延迟 在 写 和 至 准许
这 数据 至 是 核实 用 这 host 系统 在之前 正在 copied 至 可擦可编程只读存储器. 所有 读 和 写 至/从
可擦可编程只读存储器 记忆 的确 进入 这 shadow ram. 在 unlocked 可擦可编程只读存储器blocks, 这 写 数据
command updates shadow 内存. 在 锁 可擦可编程只读存储器 blocks, 这 写 数据command 是 ignored. 这
copy 数据 command copies 这 内容 的 shadow内存 至 可擦可编程只读存储器 在 一个 unlocked 块 的 可擦可编程只读存储器
但是 有 非 效应 在 锁 blocks. 这 recall 数据command copies 这 内容 的 一个 块 的 可擦可编程只读存储器
至 shadow 内存 regardless 的 whether 这 块 是 锁 或者 不.
表格 3.
记忆 编排
地址 (十六进制) 描述 读/写
00 保护 寄存器 r/w
01 状态 寄存器 R
02–06 保留
07 可擦可编程只读存储器 寄存器 r/w
08 特定的 特性 寄存器 r/w
09–0B 保留
0C 电压 寄存器 msb R
0D 电压 寄存器 lsb R
0E 电流 寄存器 msb R
0F 电流 寄存器 lsb R
10 accumulated 电流 寄存器 msb r/w
11 accumulated 电流 寄存器 lsb r/w
12–17 保留
18 温度 寄存器 msb R
19 温度 寄存器 lsb R
1A–1F 保留
20–2F 可擦可编程只读存储器, 块 0 r/w*
30–3F 可擦可编程只读存储器, 块 1 r/w*
40–7F 保留
80–8F SRAM r/w
90–FF 保留
*
各自 可擦可编程只读存储器 块 是 读/写直到 锁 用 这 锁 command,之后 这个 它 是 读-仅有的.
: 点此下载
