MAX1714
高-速 步伐-向下 控制
为 notebook 计算机
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多样的-输出 产品 那 使用 一个 flyback trans-
former 或者 结合 inductor.
电流-限制 电路 (ilim)
这 电流-限制 电路 雇用 一个 唯一的 “valley” cur-
rent-感觉到 algorithm 那 使用 这 在-状态 阻抗
的 这 低-一侧 场效应晶体管 作 一个 电流-感觉到 元素
(图示 4). 如果 这 电流-sense 电压 (pgnd - lx) 是
在之上 这 电流-限制 门槛, 这 pwm 是 不 允许
至 initiate 一个 新 循环. 这 真实的 顶峰 电流 是 更好
比 这 电流-限制 门槛 用 一个 数量 equal 至
这 inductor 波纹 电流. 因此, 这 精确的 电流-
限制 典型的 和 最大 加载 能力 是 一个
函数 的 这 场效应晶体管 在-阻抗, inductor 值,
和 电池 电压. 这 reward 为 这个 uncertainty 是
强健的, lossless overcurrent 感觉到. 当 联合的
和 这 uvp 保护 电路, 这个 电流-限制 方法
是 有效的 在 almost 每 circumstance.
那里 是 也 一个 负的 电流 限制 那 阻止
过度的 反转 inductor 电流 当 v
输出
是 下沉-
ing 电流. 这 负的 电流-限制 门槛 是 设置 至
大概 120% 的 这 积极的 电流 限制, 和
因此 轨道 这 积极的 电流 限制 当 ilim 是
调整.
这 电流-限制 门槛 是 调整 和 一个 外部
电阻-分隔物 在 ilim. 一个 1µa 最小值 分隔物 电流 是 rec-
ommended. 这 电流-限制 门槛 调整
范围 是 从 50mv 至 200mv. 在 这 可调整的 模式,
这 电流-限制 门槛 电压 是 precisely 1/10 这
电压 seen 在 ilim. 这 门槛 defaults 至 100mv
当 ilim 是 连接 至 v
CC
. 这 逻辑 门槛 为
switchover 至 这 100mv default 值 是 大概
V
CC
- 1v.
这 可调整的 电流 限制 accommodates mosfets
和 一个 宽 范围 的 在-阻抗 特性 (看
设计 程序
).
carefully 注意到 这 pc 板 布局 指导原则 至
确保 那 噪音 和 直流 errors don’t corrupt 这 cur-
rent-sense 信号 seen 用 lx 和 pgnd. 挂载 或者
放置 这 ic 关闭 至 这 低-一侧 场效应晶体管 和 短的,
直接 查出, 制造 一个 kelvin sense 连接 至 这
源 和 流 terminals.
场效应晶体管 门 驱动器 (dh, dl)
这 dh 和 dl 驱动器 是 优化 为 驱动 moder-
ate-sized 高-一侧, 和 大 低-一侧 电源
mosfets. 这个 是 consistent 和 这 低 职责 因素
seen 在 这 notebook 环境, 在哪里 一个 大 v
BATT
-
V
输出
差别的 exists. 一个 adaptive dead-时间 电路
monitors 这 dl 输出 和 阻止 这 高-一侧 场效应晶体管
从 turning 在 直到 dl 是 全部地 止. 那里 必须 是 一个 低-
阻抗, 低-电感 path 从 这 dl 驱动器 至 这
场效应晶体管 门 为 这 adaptive dead-时间 电路 至 工作
合适的; 否则, 这 sense 电路系统 在 这 max1714
将 interpret 这 场效应晶体管 门 作 “off” 当 那里 是
的确 安静的 承担 left 在 这 门. 使用 非常 短的, 宽
查出 测量 非 更多 比 20 squares (50 至 100
毫英寸 宽 如果 这 场效应晶体管 是 1 inch 从 这 max1714).
这 dead 时间 在 这 其它 边缘 (dh turning 止) 是
决定 用 一个 fixed 35ns (典型) 内部的 延迟.
这 内部的 拉-向下 晶体管 那 驱动 dl 低 是
强健的, 和 一个 0.5
Ω
典型 在-阻抗. 这个 helps 前-
vent dl 从 正在 牵引的 向上 在 这 快 上升-时间 的
这 inductor node, 预定的 至 电容的 连接 从 这
流 至 这 门 的 这 低-一侧 同步的-整流器
场效应晶体管. 不管怎样, 为 高-电流 产品, 你
might 安静的 encounter 一些 结合体 的 高- 和
低-一侧 fets 那 将 导致 过度的 门-流 cou-
pling, 这个 能 含铅的 至 效率-killing, emi-producing
shoot-通过 电流. 这个 是 常常 remedied 用 adding
一个 电阻 在 序列 和 bst, 这个 增加 这 转变-在
时间 的 这 高-一侧 场效应晶体管 没有 degrading 这 转变-止
时间 (图示 5).
图示 3. 脉冲波-skipping/discontinuous 转型 要点
inductor 电流
I
加载
= i
顶峰
/2
在-time0 时间
-i
顶峰
L
V
BATT
-v
输出
∆
i
∆
t
=
图示 4. ‘‘valley’’ 电流-限制 门槛 要点
I
限制
I
加载
0 时间
-i
顶峰
inductor 电流
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