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资料编号:169119
 
资料名称:MMBF0201NLT1
 
文件大小: 86.08K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
 
 


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MMBF0201NLT1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain–to–source 损坏 电压
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= 10
µ
一个)
V
(br)dss
20 Vdc
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 16 vdc, v
GS
= 0 vdc)
(v
DS
= 16 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
1.0
10
µ
模数转换器
gate–body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
20 vdc, v
DS
= 0) I
GSS
±
100 nAdc
在 特性
(便条 1.)
门 门槛 电压
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
模数转换器)
V
gs(th)
1.0 1.7 2.4 Vdc
静态的 drain–to–source on–resistance
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 300 madc)
(v
GS
= 4.5 vdc, i
D
= 100 madc)
r
ds(在)
0.75
1.0
1.0
1.4
Ohms
向前 跨导 (v
DS
= 10 vdc, i
D
= 200 madc) g
FS
450 mMhos
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 5.0 v) C
iss
45 pF
输出 电容 (v
DS
= 5.0 v) C
oss
25
转移 电容 (v
DG
= 5.0 v) C
rss
5.0
切换 特性
(便条 2.)
turn–on 延迟 时间
t
d(在)
2.5
ns
上升 时间
(v
DD
= 15 vdc, i
D
= 300 madc,
t
r
2.5
turn–off 延迟 时间
(v
DD
15vdc,I
D
300madc,
R
L
= 50
)
t
d(止)
15
下降 时间 t
f
0.8
门 承担 (看 图示 5) Q
T
1400 pC
source–drain 二极管 特性
持续的 电流
I
S
0.3 一个
搏动 电流 I
SM
0.75
向前 电压 (便条 2.) V
SD
0.85 V
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
2. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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