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资料编号:169250
 
资料名称:BF1005S
 
文件大小: 52.96K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network)
 
 


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二月-18-2004
4
bf1005s...
总的 电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
S
)
bf1005s, bf1005sr
0 15 30 45 60 75 90 105 120
°C
150
T
S
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
mW
220
P
tot
总的 电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
S
)
BF1005SW
0 15 30 45 60 75 90 105 120
°C
150
T
S
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
毫安
220
P
tot
流 电流
I
D
=
ƒ
(
V
G2S
)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V
4.5
V
G2S
0
2
4
6
8
10
12
14
16
毫安
20
I
D
嵌入 电源 增益
|
S
21
|² =
ƒ
(
V
G2S
)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V
4.5
V
G2S
-65
-55
-45
-35
-25
-15
-5
dB
15
|
S
21
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