1999 jul 08 6
飞利浦 半导体 初步的 规格
双 n-频道 双 门 mos-场效应晶体管 BF1102
图.7 流 电流 作 一个 函数 的 门 1 电流;
典型 值.
V
DS
=5v; v
g2-s
=4v; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
020 60
25
0
5
20
15
10
MGS364
40
I
D
(毫安)
I
G1
(
µ
一个)
图.8 流 电流 作 一个 函数 的 门 1
供应 电压 (= V
GG
); 典型 值.
V
DS
=5v; v
g2-s
=4v; t
j
=25
°
c.
R
G1
=120k
Ω
(连接 至 v
GG
); 看 图.17.
handbook, halfpage
0
15
10
5
0
1
MGS365
23 54
I
D
(毫安)
V
GG
(v)
图.9 流 电流 作 一个 函数 的 门 1 (= V
GG
)
和 流 供应 电压; 典型 值.
V
g2-s
=4v; t
j
=25
°
c.
R
G1
连接 至 v
GG
; 看 图.17.
handbook, halfpage
010
30
0
10
20
MGS366
2468
I
D
(毫安)
V
GG
= v
DS
(v)
R
G1
= 47 k
Ω
68 k
Ω
82 k
Ω
100 k
Ω
120 k
Ω
150 k
Ω
180 k
Ω
220 k
Ω
V
DS
=5v; t
j
=25
°
c.
R
G1
=120k
Ω
(连接 至 v
GG
); 看 图.17.
图.10 流 电流 作 一个 函数 的 门 2 电压;
典型 值.
handbook, halfpage
02 6
20
0
16
MGS367
4
12
8
4
V
g2-s
(v)
I
D
(毫安)
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v
V
g1-S
= 5 v
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