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2001 Apr 25 7
飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 双 门 mos-场效应晶体管 BF1204
handbook, halfpage
0246
40
30
10
0
20
MCD960
V
g2-s
(v)
I
G1
(
µ
一个)
4 v
3.5 v
3 v
4.5 v
V
GG
=
5 v
图.11 门 1 电流 作 一个 函数 的 门 2
电压; 典型 值.
V
DS
= 5 v; t
j
=25
°
c.
R
G1
= 120 k
Ω
(连接 至 v
GG
); 看 图.19.
handbook, halfpage
012 4
0
−
50
−
10
3
V
AGC
(v)
增益
减少
(db)
−
20
−
30
−
40
MCD961
图.12 典型 增益 减少 作 一个 函数 的 AGC
电压; 看 图.19.
V
DS
= 5 v; v
GG
= 5 v; r
G1
= 120 k
Ω
;
f = 50 mhz; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
增益 减少 (db)
10 50
120
110
90
80
100
20 30 40
MCD962
V
unw
(db
µ
v)
图.13 Unwanted 电压 为 1% 交叉-调制
作 一个 函数 的 增益 减少; 典型
值; 看 图.19.
V
DS
= 5 v; v
GG
= 5 v; r
G1
= 120 k
Ω
;
f= 50 mhz; f
unw
= 60 mhz; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
增益 减少 (db)
10 50
16
12
4
0
8
20 30 40
MCD963
I
D
(毫安)
图.14 流 电流 作 一个 函数 的 增益
减少; 典型 值; 看 图.19.
V
DS
= 5 v; v
GG
= 5 v; r
G1
= 120 k
Ω
;
f = 50 mhz; t
amb
=25
°
c.

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2001 Apr 25 7 飞利浦半导体产品规格双 n-频道双门 mos-场效应晶体管 BF1204 handbook, halfpage 0246 40 30 10 0 20 MCD960 V g2-s (v) I G1 ( µ 一个) 4 v 3.5 v 3 v 4.5 v V GG = 5 v 图.11 门 1 电流作一个函数的门 2 电压; 典型值. V DS = 5 v; t j =25 ° c. R G1 = 120 k Ω (连接至 v GG ); 看图.19. handbook, halfpage 012 4 0 − 50 − 10 3 V AGC (v) 增益减少 (db) − 20 − 30 − 40 MCD961 图.12 典型增益减少作一个函数的 AGC 电压; 看图.19. V DS = 5 v; v GG = 5 v; r G1 = 120 k Ω ; f = 50 mhz; t amb =25 ° c. handbook, halfpage 0 增益减少 (db) 10 50 120 110 90 80 100 20 30 40 MCD962 V unw (db µ v) 图.13 Unwanted 电压为 1% 交叉-调制作一个函数的增益减少; 典型值; 看图.19. V DS = 5 v; v GG = 5 v; r G1 = 120 k Ω ; f= 50 mhz; f unw = 60 mhz; t amb =25 ° c. handbook, halfpage 0 增益减少 (db) 10 50 16 12 4 0 8 20 30 40 MCD963 I D (毫安) 图.14 流电流作一个函数的增益减少; 典型值; 看图.19. V DS = 5 v; v GG = 5 v; r G1 = 120 k Ω ; f = 50 mhz; t amb =25 ° c.

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