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资料编号:169463
 
资料名称:BF420
 
文件大小: 62.41K
   
说明
 
介绍:
NPN high-voltage transistors
 
 


: 点此下载
  浏览型号BF420的Datasheet PDF文件第1页
1

2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
比率 在
集电级-根基 损坏 电压
BF420
在 i
C
= 100
µ
一个, i
B
= 0
BF422
V
(br)cbo
V
(br)cbo
300
250
V
V
集电级-发射级 损坏 电压
BF422
在 i
C
= 10
m
一个, i
E
= 0
V
(br)ceo
250
V
集电级-发射级 损坏 电压
BF420
在 r
= 2.7 k
, i
C
= 10 毫安
V
(br)cer
300 V
发射级-根基 损坏 电压
在 i
E
= 100
µ
一个, i
B
= 0
V
(br)ebo
5––V
集电级-根基 截止 电流
在 v
CB
= 200 v, i
E
= 0
I
CBO
––10nA
集电级-发射级 截止 电流
在 r
= 2.7 k
, v
CE
= 250 v
在 r
= 2.7 k
, v
CE
= 200 v, t
j
= 150 °c
I
CER
I
CER
50
10
nA
µ
一个
集电级 饱和 电压
在 i
C
= 30 毫安, i
B
= 5 毫安
V
CEsat
––0.6v
直流 电流 增益
在 v
CE
= 20 v, i
C
= 25 毫安
h
FE
50
增益-带宽 产品
在 v
CE
= 10 v, i
C
= 10 毫安
f
T
60 MHz
反馈 电容
在 v
CE
= 30 v, i
C
= 0, f = 1 mhz
C
re
––1.6pf
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气
R
thJA
150
1)
k/w
1)
有效的 提供 那 leads 是 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 2 mm 从 情况
bf420, bf422
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