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1997 三月 04 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 中等 频率 晶体管 BF570
特性
•
低 电流 (最大值. 100 毫安)
•
低 电压 (最大值. 15 v)
•
低 反馈 电容 (最大值. 2.2 pf).
产品
•
Monitors
•
电池 配备 产品.
描述
npn 晶体管 在 一个 sot23 塑料 包装.
固定
管脚 描述
1 根基
2 发射级
3 集电级
图.1  simplified 外形 (sot23) 和 标识.
handbook, halfpage
21
3
MAM255
顶 视图
2
3
1
标记
类型 号码 标记 代号
BF570 B26
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
40 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
15 V
I
CM
顶峰 集电级 电流
−
200 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
C
−
250 mW
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 10 毫安; v
CE
=1V 40
−
f
T
转变 频率 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 10 v; f = 100 MHz 490
−
MHz

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1997 三月 04 2 飞利浦半导体产品规格 npn 中等频率晶体管 BF570 特性 • 低电流 (最大值. 100 毫安) • 低电压 (最大值. 15 v) • 低反馈电容 (最大值. 2.2 pf). 产品 • Monitors • 电池配备产品. 描述 npn 晶体管在一个 sot23 塑料包装. 固定管脚描述 1 根基 2 发射级 3 集电级图.1 simplified 外形 (sot23) 和标识. handbook, halfpage 21 3 MAM255 顶视图 2 3 1 标记类型号码标记代号 BF570 B26 快涉及数据标识参数情况最小值最大值单位 V CBO 集电级-根基电压打开发射级 − 40 V V CEO 集电级-发射级电压打开根基 − 15 V I CM 顶峰集电级电流 − 200 毫安 P tot 总的电源消耗 T amb ≤ 25 ° C − 250 mW h FE 直流电流增益 I C = 10 毫安; v CE =1V 40 − f T 转变频率 I C = 40 毫安; v CE = 10 v; f = 100 MHz 490 − MHz

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